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产品介绍

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热氧化离子注入镀膜沉积刻蚀晶圆键合CMP快速退火

热氧化离子注入镀膜沉积刻蚀晶圆键合CMP快速退火

光刻技术--Lithography Technology光刻一种精密的微细加工技术。常规光刻技术是采用紫外光作为图像信息载体,以光致抗光刻技术蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

 

公司提供电子束光刻、步进式光刻、接触式光刻等光刻技术,线宽最小可达10nm,多种光刻结合的先进光刻理念,实现您不同尺寸的光刻需求。

电子束光刻:最小线宽50nm(成熟),适合在导电衬底、图形面积小的图形加工。 

投影式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,适合在标准圆片上有量加工。 

接触、接近式光刻:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,适合正反套刻,衬底包容性高。

 

此产品属于定制产品,可根据客户需求来定制,如果需要设计,请联系我们客服或者联系张生,手机号码18948798140,我们竭诚为您服务! 



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光刻技术--Lithography Technology光刻一种精密的微细加工技术。常规光刻技术是采用紫外光作为图像信息载体,以光致抗光刻技术蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

 

公司提供电子束光刻、步进式光刻、接触式光刻等光刻技术,线宽最小可达10nm,多种光刻结合的先进光刻理念,实现您不同尺寸的光刻需求。

电子束光刻:最小线宽50nm(成熟),适合在导电衬底、图形面积小的图形加工。 

投影式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,适合在标准圆片上有量加工。 

接触、接近式光刻:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,适合正反套刻,衬底包容性高。

 

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