热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下，给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度，使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层，它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中，热氧化层都扮演着非常重要的角色，以保护硅片。作为掺杂障碍和表面电介质。

可根据客户科研和实际需要定制加工发货！
二氧化硅片，氧化硅层厚度一般是300nm，特殊厚度需要定制，请周知！

型号：掺杂类型 N/P磷、砷、硼 
晶向：<111><100><110> 
电阻率：0.001-20000(Ω·cm)
平整度STIR：<1μm
翘曲度TTV：<3μm
弯曲的BOW：<5μm
粗糙度Ra：<0.5nm
颗粒度pewaferr：<10颗 (forsize>0.3μm)
包装方式：1片包装、5片包装、10片封装、25片封装超洁净无尘铝箔真空封装；
现有库存厚度μm：双抛200-2000μm、单抛150-5000μm之间各种厚度硅片均可提供。
用途介绍：用于高校、科研所、高科技公司实验室用于同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试 基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体、TFT薄膜晶体管基底、纳米压印衬底，二维材料衬底等。